ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Technology: Si
Unit Weight: 1.006 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 1 W
DC Current Gain hFE Max: 150 at 250 mA, 2 V
Gain Bandwidth Product fT: 30 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 4 V
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Continuous Collector Current: 1 A
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 40 at 250 mA, 2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2 V
