GSI Technology GS880F18CGT-4.5 SRAM 2.5 ຫຼື 3.3V 512K x 18 9M

Loại: Flow Through

Tổ chức: 512 k x 18

Kiểu gắn: SMD/SMT

Thương hiệu: SyncBurst

Loại bộ nhớ: SDR

Loại giao diện: Parallel

Loại sản phẩm: SRAM

Thời gian truy cập: 4.5 ns

Nhạy với độ ẩm: Yes

Đóng gói / Vỏ bọc: TQFP-100

Kích thước bộ nhớ: 9 Mbit

Dòng cấp nguồn - Tối đa: 165 mA

Nhiệt độ làm việc tối đa: + 70 C

Điện áp cấp nguồn - Tối đa: 3.6 V

Nhiệt độ làm việc tối thiểu: 0 C

Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu: 2.3 V