InterFET J211 JFET JFET N-Channel -25V Low Ciss
ຜູ້ຜະລິດInterFET(ເບິ່ງສິນຄ້າອື່ນໆຂອງຍີ່ຫໍ້ນີ້)
ModelJ211
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Technology: Si
Unit Weight: 453.600 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 360 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: - 4.5 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 20 mA
Id - Continuous Drain Current: 1 nA
Forward Transconductance - Min: 6000 uS
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 25 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 15 V
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ