IXYS IXFN70N120SK HiperFET SiC Power MOSFET
ຜູ້ຜະລິດIXYS(ເບິ່ງສິນຄ້າອື່ນໆຂອງຍີ່ຫໍ້ນີ້)
ModelIXFN70N120SK
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Technology: SiC
Unit Weight: 30 g
Configuration: Single
Mounting Style: Screw Mount
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Id - Continuous Drain Current: 68 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 25 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ