ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Technology: Si
Unit Weight: 73 mg
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 400 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: 6 mV
Maximum Drain Gate Voltage: 10 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 12 mA
Id - Continuous Drain Current: 2 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 8 mS
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 40 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
