ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Gain: 17 dB
Technology: GaN
Unit Weight: 2.140 g
Output Power: 15 W
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: GaN HEMT
Transistor Polarity: N-Channel
Maximum Operating Frequency: 8 GHz
Minimum Operating Frequency: 0 Hz
Id - Continuous Drain Current: 1.5 A
Maximum Operating Temperature: + 225 C
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 10 V, 2 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 120 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 3.8 V
