ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Gain: 11 dB
Technology: GaN
Output Power: 500 W
Mounting Style: Screw Mount
Transistor Type: GaN HEMT
Transistor Polarity: N-Channel
Maximum Operating Frequency: 3.5 GHz
Minimum Operating Frequency: 2.9 GHz
Id - Continuous Drain Current: 24 A
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 10 V, 2 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 3.8 V
