ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Width: 1.7 mm
Height: 1 mm
Length: 3.1 mm
Technology: Si
Unit Weight: 10.800 mg
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 600 mW
DC Current Gain hFE Max: 120 at 1 mA, 6 V
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 120
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 200 mV
