Nexperia PSMN2R0-30YLE,115 MOSFETs N-ແນວ 40 V, 2.1 mOhm, 180 A ລະດັບໂລຈິກ MOSFET ໃນ LFPAK56 ໃຊ້ເທັກໂນໂລຍີ optimizedNextPowerS3 Schottky-Plus
ຜູ້ຜະລິດNexperia(ເບິ່ງສິນຄ້າອື່ນໆຂອງຍີ່ຫໍ້ນີ້)
ModelPSMN2R0-30YLE,115
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Technology: Si
Unit Weight: 91.420 mg
Channel Mode: Enhancement
REACH - SVHC: Details
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 87 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 272 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Id - Continuous Drain Current: 100 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.7 V
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ