STMicroelectronics BD237 BJTs - ບິໂພລາ ແທຣນຊິສຕໍເຣີ NPN ສໍາລັບວັດປະສົງທົ່ວໄປ
ModelBD237
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Width: 2.7 mm
Height: 10.8 mm
Length: 7.8 mm
Technology: Si
Unit Weight: 60 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 25 W
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Continuous Collector Current: 2 A
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 40
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 600 mV
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ