ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Width: 2.7 mm
Height: 10.8 mm
Length: 7.8 mm
Technology: Si
Unit Weight: 800 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 36 W
DC Current Gain hFE Max: 130
Gain Bandwidth Product fT: 3 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 45 V
Continuous Collector Current: 4 A
Maximum DC Collector Current: 4 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 30
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 200 mV
