STMicroelectronics HD1750FX BJTs - ບິໂພລາ ແທຣນຊິສຕໍເຣີ NPN ຄວາມແຮງແຮງສູງ +800Vceo ສູງສຸດ
ModelHD1750FX
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Width: 5.7 mm
Height: 16.5 mm
Length: 15.7 mm
Technology: Si
Unit Weight: 8.437 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 75 W
Emitter- Base Voltage VEBO: 10 V
Maximum DC Collector Current: 24 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 30
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 800 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3 V
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ