ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Gain: 18 dB
Technology: Si
Unit Weight: 2.400 g
Output Power: 250 W
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: LDMOS FET
Number of Channels: 1 Channel
Operating Frequency: 1 MHz
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 250 W
Vgs - Gate-Source Voltage: + 10 V
Id - Continuous Drain Current: 2.5 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 1 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 90 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
