ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Vgs(th): 0.95 V
Vgs (Max): -6V
Gate Charge (Qg): 1.23nC
Power consumption: 500mW
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 12V
Continuous drain current: 1.8A
Input Capacitance (Ciss): 234pF
Operating temperature range: -55 to 150C
Field-effect transistor type: P-CH
Drain to Source on-state resistance: 116mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5|4.5V
