ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Width: 4.32 mm
Height: 1.85 mm
Length: 6.22 mm
Fall Time: 20 us
Rise Time: 20 us
Output Type: NPN Phototransistor
Unit Weight: 24.653 g
Mounting Style: SMD/SMT
Isolation Voltage: 1000 Vrms
Number of Channels: 1 Channel
If - Forward Current: 1 mA
Vf - Forward Voltage: 1.5 V
Vr - Reverse Voltage: 2 V
Current Transfer Ratio: 200 %
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Maximum Collector Current: 10 mA
Current Transfer Ratio - Min: 200 %
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Collector Emitter Voltage: 40 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage: 90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 300 mV
