ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Width: 4.5 mm
Height: 1.50 mm
Length: 4.05 mm
Fall Time: 3 ns
Rise Time: 9 ns
Technology: Si
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 1 N-Channel
Qg - Gate Charge: 6 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 1.25 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 16 V, + 16 V
Typical Turn-On Delay Time: 8 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 13 ns
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 10 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 38 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.5 V
