Infineon F4200R17N3E4B58BPSA1 IGBT 硅模块 1700 V，200 A 四包输入整流器 IGBT 模块

Name: Infineon F4200R17N3E4B58BPSA1 IGBT 硅模块 1700 V，200 A 四包输入整流器 IGBT 模块
Brand: Infineon

ModelF4200R17N3E4B58BPSA1

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Technology: Si

Configuration: 4-Pack

Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.95 V

Continuous Collector Current at 25 C: 200 A

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