MACOM PXAC200902FC-V1-R2 射频功率MOSFET 射频LDMOS场效应管

Name: MACOM PXAC200902FC-V1-R2 射频功率MOSFET 射频LDMOS场效应管
Brand: MACOM

ModelPXAC200902FC-V1-R2

联系我们

数量

安全结算

品质保证

轻松更换与退货

支持配送

Gain: 17.2 dB

Technology: Si

Output Power: 90 W

Mounting Style: SMD/SMT

Transistor Type: LDMOS FET

Number of Channels: 2 Channel

Operating Frequency: 1.805 GHz to 2.17 GHz

Transistor Polarity: Dual N-Channel

Vgs - Gate-Source Voltage: 10 V

Maximum Operating Temperature: + 225 C

Rds On - Drain-Source Resistance: 220 mOhms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V

获取优惠更新

获取专属批量折扣、批发价格更新和新产品通知，直接发送到您的邮箱。

订阅即表示您同意我们的服务条款和隐私政策。

快速支持

直接联系认证专家