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Microchip Technology MSC360SMA120B SiC MOSFETS MOSFET 硅碳化物 1200 V 360 毫欧 TO-247

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ModelMSC360SMA120B

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Technology: SiC

Unit Weight: 6 g

Mounting Style: Through Hole

Transistor Polarity: N-Channel

Rds On - Drain-Source Resistance: 360 mOhms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV

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