MOSFET Đôi EPAD(R) Có Thể Lập Trình Advanced Linear Devices ALD1110EPAL
Hãng sản xuấtAdvanced Linear Devices(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelALD1110EPAL
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Unit Weight: 1 g
Channel Mode: Depletion
Configuration: Quad
Mounting Style: Through Hole
Transistor Type: 4 N-Channel
Number of Channels: 4 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 600 mW
Id - Continuous Drain Current: 3 A
Maximum Operating Temperature: + 70 C
Minimum Operating Temperature: 0 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 500 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 10 V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi