Cảm biến nhiệt hồng ngoại Advanced Energy IN 2000 (-32 ~ 900°C)

- Dải nhiệt: -32 ~ 900°C (-25.6 ~ 1652°F)
- Dải phổ: 8 ~ 14 μm
- Độ phân giải: 0.1°C trên mặt phân cách, < 0.025% dải nhiệt độ ở đầu ra analog
- Độ phát xạ ε: 10.0 ~ 100.0%
- Độ không đảm bảo đo lường:
1% giá trị đo + 1°C + 1 (ε=1, Tamb=15 ~ 40°C)
1.4% giá trị đo + 1°C + 1 (ε=1, Tamb=0 ~ 15 or 40 ~ 70°C)
- Lặp lại: < 0.3% giá trị đo (ε=1)
Điện
- Nguồn điện: 15 ~ 30 VDC
- Đầu ra: Đầu ra analog 4 ~ 20 mA
- Tải: Tối đa 375 Ω tại 15 V lên đến 1125 Ω tối đa tại 30V
Giao tiếp:
- Thời gian chụp t90: 95 ms
- Cáp nối: 2m
Môi trường:
- Nhiệt độ môi trường: 0 ~ 70°C (32 ~ 158°F) ở vỏ
- Nhiệt độ bảo quản: -20 ~70°C (-4 ~ 158°F)
- Trọng lượng: 150 g
- Vỏ: Thép không gỉ

Datasheet