For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.
EMIN.VN
0

Cách sử dụng đồng hồ vạn năng đo tụ điện

03/09/2014 01:51:27

 Ta có thể dùng thang điện trở của Đồng hồ vạn năng để kiểm tra độ phóng nạp và hư hỏng của tụ điện, khi đo tụ điện, nếu là tụ gốm ta dùng thang đo x1K ohm hoặc 10K ohm, nếu là tụ hoá ta dùng thang x 1 ohm hoặc x 10 ohm...

Cách sử dụng Đồng hồ vạn năng đo tụ điện

Dùng thang điện trở để đo kiểm tra tụ điện

Ta có thể dùng thang điện trở của Đồng hồ vạn năng để kiểm tra độ phóng nạp và hư hỏng của tụ điện, khi đo tụ điện, nếu là tụ gốm ta dùng thang đo x1K ohm hoặc 10K ohm, nếu là tụ hoá ta dùng thang x 1 ohm hoặc x 10 ohm.



Dùng thang x 1K ohm để kiểm tra tụ gốm

  Phép đo tụ gốm trên cho ta biết :

Tụ C1 còn tốt => kim phóng nạp khi ta đo

Tụ C2 bị dò => lên kim nhưng không trở về vị trí cũ

Tụ C3 bị chập => kim đồng hồ lên = 0 ohm và không trở về.



Dùng thang x 10 ohm để kiểm tra tụ hoá

Hình vẽ trên mô tả:
 
- Phép đo kiểm tra các tụ hoá, tụ hoá rất ít khi bị dò hoặc chập mà chủ yếu là bị khô ( giảm điện dung) khi đo tụ hoá để biết chính xác mức độ hỏng của tụ ta cần đo so sánh với một tụ mới có cùng điện dung.

- Phép đo so sánh hai tụ hoá cùng điện dung, trong đó tụ C1 là tụ mới còn C2 là tụ cũ, ta thấy tụ C2 có độ phóng nạp yếu hơn tụ C1 => chứng tỏ tụ C2 bị khô ( giảm điện dung )
 
- Chú ý khi đo tụ phóng nạp, ta phải đảo chiều que đo vài lần để xem độ phóng nạp
 

Tin tức liên quan

Hệ thống đo kiểm có hỗ trợ phân tích giao thức TSN và Automotive Ethernet không?
28/10/2026 15:05:33

Với Automotive Ethernet, có. Tektronix cung cấp giải pháp đo kiểm, gỡ lỗi, giải mã ở tầng vật lý cho các chuẩn từ 10 Mb/s tới 10 Gb/s. Với TSN, giải pháp hiện công bố tập trung vào đường truyền vật lý mang lưu lượng này, phần phân tích giao thức TSN cần xác nhận phạm vi hỗ trợ cụ thể cùng chuyên gia Tektronix tại hội thảo.

Xu hướng vật liệu bán dẫn SiC/GaN: Từ nghiên cứu vật liệu đến phân tích lỗi chi tiết
24/10/2026 09:59:14

Bước sang giai đoạn 2026–2030, vật liệu bán dẫn vùng cấm rộng (Wide Bandgap - WBG) như Silicon Carbide (SiC) và Gallium Nitride (GaN) đang thay đổi cấu trúc ngành điện tử công suất, ô tô điện (EV/HEV), năng lượng tái tạo và trung tâm dữ liệu AI. Sự dịch chuyển từ Silicon truyền thống sang SiC và GaN giúp tối ưu hóa mật độ công suất, thu nhỏ kích thước linh kiện phụ trợ và nâng cao hiệu suất năng lượng toàn hệ thống.

Cập nhật các ưu đãi mới nhất

Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.

Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.

Hỗ trợ nhanh

Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi