Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Gain: 13.7 dB
Technology: GaAs
Unit Weight: 16.473 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: pHEMT
NF - Noise Figure: 0.3 dB
Operating Frequency: 12 GHz
Pd - Power Dissipation: 125 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: - 750 mV
Id - Continuous Drain Current: 10 mA
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 54 mS
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 3 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 4 V
