Transistor RF JFET 12GHz NF 0.3dB Ga 13.7dB -55C +125C CEL CE3512K2
Hãng sản xuấtCEL(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelCE3512K2
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Gain: 13.7 dB
Technology: GaAs
Unit Weight: 16.473 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: pHEMT
NF - Noise Figure: 0.3 dB
Operating Frequency: 12 GHz
Pd - Power Dissipation: 125 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: - 750 mV
Id - Continuous Drain Current: 10 mA
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 54 mS
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 3 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 4 V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi