Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 500 mW
DC Current Gain hFE Max: 300 at 150 mA, 10 V
Gain Bandwidth Product fT: 250 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Continuous Collector Current: 800 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 35 at 0.1 mA, 10 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV
