JFET kênh N 35Vgd 35Vgs 35Vds 10mA 300mW Central Semiconductor 2N4416A TIN/LEAD
Hãng sản xuấtCentral Semiconductor(Xem thêm sản phẩm của hãng)
Model2N4416A TIN/LEAD
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Unit Weight: 431.107 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: 6 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 15 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 35 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 35 V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi