BJTs - Transistor Lưỡng Cực NPN 50Vcbo 45Vceo 6.0Vebo 200mA 600Pd Central Semiconductor BC107A TIN/LEAD
Hãng sản xuấtCentral Semiconductor(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelBC107A TIN/LEAD
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 600 mW
DC Current Gain hFE Max: 220
Gain Bandwidth Product fT: 150 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Continuous Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 110
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 250 mV
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi