Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 400 mW
DC Current Gain hFE Max: 100 at 10 mA, 10 V
Gain Bandwidth Product fT: 5 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 180 V
Continuous Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: + 175 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 50 at 10 mA, 10 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 180 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
