Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 2 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 1 P-Channel
Qg - Gate Charge: 880 pC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: P-Channel
Pd - Power Dissipation: 250 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 8 V, + 8 V
Id - Continuous Drain Current: 450 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Forward Transconductance - Min: 200 mS
Rds On - Drain-Source Resistance: 1 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V