Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 453.600 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 350 mW
DC Current Gain hFE Max: 120
Gain Bandwidth Product fT: 500 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 4.5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Continuous Collector Current: 200 mA
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 40
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 15 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
