Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
DC Current Gain hFE Max: 120 at 1 V, 10 mA
Gain Bandwidth Product fT: 400 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 4.5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 30 V
DC Collector/Base Gain hfe Min: 35 at 1 V, 10 mA
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
