Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 8 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: Bipolar
Operating Frequency: 3.2 GHz
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 310 mW
Emitter- Base Voltage VEBO: 3 V
Continuous Collector Current: 50 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 56 at 5 mA, 10 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 11 V
