Pre-Biased Bipolar Transistor Diodes Incorporated DDTB114EU-7-F
Hãng sản xuấtDiodes Incorporated(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelDDTB114EU-7-F
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
R1/R2: 1
Rated power: 200mW
Mounting Type: Surface Mount
Power-Maximum: 200mW
Transistor type: PNP-Prebias
Collector current: 500mA
DC electricity gain: 56@50mA|5V
Frequency-Transition: 200MHz
Resistance-Base (R1): 10kOhm
Vce Saturation (maximum): 300mV@2.5mA|50mA
Collector-emitter voltage: 50V
Resistance-Emitter base (R2): 10kOhm
DC current gain (hFE) (minimum): 56@50mA,5V
Current-Collector (Ic) (maximum): 500mA
Current-Collector cutoff (maximum): 500nA
Voltage-Collector-emitter breakdown (maximum): 50V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi