Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Width: 2.41 mm
Height: 4.01 mm
Length: 4.77 mm
Fall Time: 16 ns
Rise Time: 5 ns
Technology: Si
Unit Weight: 453.600 mg
Channel Mode: Enhancement
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Type: 1 N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 750 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 40 V, + 40 V
Typical Turn-On Delay Time: 2.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 40 ns
Id - Continuous Drain Current: 260 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 0.4 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 5.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 240 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 800 mV
