Bo mạch cảm biến X-quang DT Detection Technology X-Card D021606414E (13000:1 @ 2 pF, 20000:1 @ 10 pF)

Cảm biến tia X: Cấu trúc năng lượng kép độc quyền của DT

Số lượng điểm ảnh: LE 64 điểm ảnh, HE 64 điểm ảnh

Vật liệu scintillator: GOS gốm

Dải động: 13000:1 @ 2 pF, 20000:1 @ 10 pF

Độ phân giải A/D: 16 bit

Dải thời gian tích hợp: 1.27 ms đến 25 ms

Dải độ nhạy: 0.25 pF – 31.75 pF, điều chỉnh theo bước 0.25 pF

Khoảng cách điểm ảnh (pixel pitch): 1.575 mm

Chiều rộng vùng hoạt động của điểm ảnh: 1.2 mm

Hướng quét vùng hoạt động của điểm ảnh: 2.0 mm

Sai số căn chỉnh scintillator so với lỗ tham chiếu: ±0.4 mm

Độ không đồng đều phản hồi tia X giữa các điểm ảnh: -15% đến +10%

Độ không đồng đều offset tối (dark offset) giữa các điểm ảnh: -15% đến +10%

Độ không đồng đều phản hồi tia X giữa các bo mạch: -15% đến +15%

Độ bền bức xạ: Liều tích lũy tối đa 100 kGy

Chiều dài cơ học: 101.6 mm

Chiều rộng cơ học: 59.5 mm

Chiều cao cơ học: 26.5 mm

Trọng lượng: 62.5 g

Brochure