Bo mạch cảm biến X-quang DT Detection Technology X-Card2 0.2-256 (30–160 kVp, 160–600 kVp, 600 kVp ~15 MeV)

Dải năng lượng tia X: 30–160 kVp, 160–600 kVp hoặc 600 kVp đến 15 MeV

Scintillator: Màn GOS, GOS gốm hoặc CdWO₄

Chiều dài X-Card2: 51.3 ± 0,05 mm

Chiều rộng X-Card2: 30,0 ± 0.10 mm

Độ dày X-Card2: 1.6 ± 0.10 mm

Chiều dài vùng hoạt động: 51.18 mm

Số lượng điểm ảnh: 256

Khoảng cách điểm ảnh (pixel pitch): 0,20 mm

Chiều cao điểm ảnh: 0.30 mm

Chiều rộng điểm ảnh: 0.15 mm

Thời gian tích hợp tối thiểu: 0.28 ms

Thời gian tích hợp tối đa: 2 giây

Tốc độ đọc ra tối đa: 1 MHz

Dải động: >16,000:1 (phụ thuộc vào thiết lập độ nhạy)

Độ tuyến tính: > 99%

Khả năng chống tĩnh điện (ESD): > 2,000 volt

Điện áp hoạt động: +5 V DC

Độ bền bức xạ: 10 MRad

Nhiệt độ hoạt động: -5 đến +60 °C

Nhiệt độ lưu trữ: +10 đến +70 °C

Độ ẩm tương đối (không ngưng tụ): < 85%

Brochure