MOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET Vishay General Semiconductor SI5908DC-T1-E3
Hãng sản xuấtVishay General Semiconductor(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelSI5908DC-T1-E3
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Unit Weight: 85 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 7.5 nC
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 2.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 8 V, + 8 V
Id - Continuous Drain Current: 5.9 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 40 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 400 mV
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi