Transistor RF lưỡng cực tín hiệu nhỏ NPN silic RF Infineon BFR 35AP E6327
Hãng sản xuấtInfineon(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelBFR 35AP E6327
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Width: 1.3 mm
Height: 1 mm
Length: 2.9 mm
Technology: Si
Unit Weight: 8 mg
Configuration: Single
Qualification: AEC-Q100
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: Bipolar
Operating Frequency: 5 GHz
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 280 mW
DC Current Gain hFE Max: 70 at 15 mA at 8 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 2.5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 20 V
Maximum DC Collector Current: 45 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 15 V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi