Pre-Biased Bipolar Transistor Infineon BCR196WH6327XTSA1
Hãng sản xuấtInfineon(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelBCR196WH6327XTSA1
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Rated power: 250mW
Mounting Type: Surface Mount
Power-Maximum: 250mW
Transistor type: PNP-Prebias
Collector current: 70mA
DC electricity gain: 50@5mA|5V
Frequency-Transition: 150MHz
Resistance-Base (R1): 47kOhm
Vce Saturation (maximum): 300mV@500uA|10mA
Collector-emitter voltage: 50V
Resistance-Emitter base (R2): 22kOhm
DC current gain (hFE) (minimum): 50@5mA,5V
Current-Collector (Ic) (maximum): 70mA
Current-Collector cutoff (maximum): 100nA(ICBO)
Voltage-Collector-emitter breakdown (maximum): 50V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi