Transistor RF BIP Silicon Germanium Infineon BFP842ESDH6327XTSA1
Hãng sản xuấtInfineon(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelBFP842ESDH6327XTSA1
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: SiGe
Unit Weight: 7 mg
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: Bipolar
Operating Frequency: 60 GHz
Pd - Power Dissipation: 120 mW
DC Current Gain hFE Max: 450
Emitter- Base Voltage VEBO: 4.1 V
Continuous Collector Current: 40 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 3.25 V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi