Mô-đun Mảng MOSFET Transistor Silicon Carbide Lục giác N-CH 1200V AG-Easy2BM Khay Infineon F3L11MR12W2M1B65BOMA1
Hãng sản xuấtInfineon(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelF3L11MR12W2M1B65BOMA1
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Channel Type: Dual N Channel
Power Dissipation: 20
Transistor Case Style: Module
Drain Source Voltage Vds: 1.2
Operating Temperature Max: 150 °C
Continuous Drain Current Id: 100
Mosfet Module Configuration: Full Bridge
Drain Source On State Resistance: 11.3
Gate Source Threshold Voltage Max: 5.55
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi