Mô-đun IGBT Silicon 1700 V, 200 A bộ bốn mô-đun chỉnh lưu đầu vào IGBT Infineon F4200R17N3E4B58BPSA1
Hãng sản xuấtInfineon(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelF4200R17N3E4B58BPSA1
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Configuration: 4-Pack
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.95 V
Continuous Collector Current at 25 C: 200 A
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi