IGBT (Transistor lưỡng cực cổng cách điện) Infineon FD16001200R17HP4B2BOSA2
Hãng sản xuấtInfineon(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelFD16001200R17HP4B2BOSA2
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
IGBT Technology: IGBT 4
IGBT Termination: Stud
Power Dissipation: 10.5
IGBT Configuration: Dual, Brake-Ch
Transistor Mounting: Screw Mount
Transistor Case Style: Module
Operating Temperature Max: 150 °C
Continuous Collector Current: 1.6
Collector Emitter Voltage Max: 1.7
Collector Emitter Saturation Voltage: 1.9
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi