Mô-đun nửa cầu MOSFET CoolSiC 1200 V Infineon FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
Hãng sản xuấtInfineon(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelFF4MR12W2M1HPB11BPSA1
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Configuration: Dual
Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 23 V
Id - Continuous Drain Current: 170 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5.15 V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi