Mô-đun Silicon IGBT N-CH 1.7KV 950A Infineon FF600R17KE3_B2
Hãng sản xuấtInfineon(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelFF600R17KE3_B2
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Width: 130 mm
Height: 38 mm
Length: 140 mm
Technology: Si
Configuration: Dual Dual Collector Dual Emitter
Mounting Style: SMD/SMT
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV
Continuous Collector Current at 25 C: 950 A
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi