Mô-đun IGBT 1700 V, 650 A mô-đun IGBT kép Infineon FF650R17IE4B60BPSA1
Hãng sản xuấtInfineon(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelFF650R17IE4B60BPSA1
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Configuration: Dual
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 650 kW
Gate-Emitter Leakage Current: 400 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.45 V
Continuous Collector Current at 25 C: 650 A
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi