Mô-đun nửa cầu MOSFET CoolSiC 1200 V Infineon FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Fall Time: 30 ns
Rise Time: 18.7 ns
Technology: Si
Configuration: Dual
Mounting Style: Screw Mount
Transistor Polarity: N-Channel
Vf - Forward Voltage: 5.65 V
Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 20 V
Typical Turn-On Delay Time: 20.4 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 62.6 ns
Id - Continuous Drain Current: 200 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 5.63 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5.55 V
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi

