Mô-đun IGBT CÔNG SUẤT TRUNG BÌNH KINH TẾ Infineon FF900R12ME7BPSA1
Hãng sản xuấtInfineon(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelFF900R12ME7BPSA1
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Configuration: Dual
Mounting Style: Press Fit
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
Continuous Collector Current at 25 C: 900 A
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi