Transistor IGBT IGBT với ĐI-ỐT TÍCH HỢP 600V 5A Infineon IKD03N60RFATMA1
Hãng sản xuấtInfineon(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelIKD03N60RFATMA1
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Width: 6.22 mm
Height: 2.41 mm
Length: 6.73 mm
Technology: Si
Unit Weight: 332.520 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 53.6 W
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.2 V
Continuous Collector Current at 25 C: 6.5 A
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi