JFET kênh N -40V độ ồn thấp InterFET 2N4339
Hãng sản xuấtInterFET(Xem thêm sản phẩm của hãng)
Model2N4339
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Unit Weight: 447.277 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: - 1.8 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 1.5 mA
Id - Continuous Drain Current: 100 pA
Forward Transconductance - Min: 800 uS
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.7 kOhms
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 50 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 15 V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi